作为芯片的外层保护，封装材料需具备足够的力学性能，并确保其在恶劣环境下仍能正常事情。第三代半导体材料，如氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），具有高功率密度和高开关频率，导致器件在事情过程中会产生大量热量。因此，封装材料必须具备良好的导热性能，以确保热量能够及时散发，避免器件因过热而破坏。此外，还需考虑与半导体芯片的热膨胀匹配性，以减少热应力对封装构造的影响。
大会组委会约请法国国家技能科学院院士、喷鼻香港工程科学院院士、喷鼻香港城市大学工学院院长吕坚院士将担当本次大会的名誉主席，并在开幕式并揭橥主旨演讲，分享其关于《三代半导体封装的材料与力学寻衅》的报告。
吕坚教授的研究领域广泛，紧张涉及物料力学、实验力学、残余应力、表面工程和仿真仿照等，特殊在前辈纳米构造材料的制备和力学性能、3D/4D打印、构造与功能材料预应力工程等方面有深入研究。2011年，他成为法国国家技能科学院首位华裔院士；2013年，当选喷鼻香港工程科学院院士；2018年，荣获中国工程院光华工程科技奖。
第2届第三代半导体及前辈封装技能创新大会暨前辈半导体展
“芯”材料 新领航
主理单位
中国生产力促进中央协会新材料专业委员会
DT新材料
联合主理
深圳市宝安区半导体行业协会
支持单位
粤港澳大湾区半导体家当同盟
横琴粤澳深度互助区半导体行业协会
喷鼻香港科技大学深港协同创新研究院
喷鼻香港城市大学深圳研究院
喷鼻香港青年科学家协会
北京大学深圳系统芯片设计重点实验室
协办单位
深圳市半导体家当发展促进会
深圳商场成电路行业协会
深圳前辈电子材料国际创新研究院
粤港澳大湾区前辈电子材料技能创新同盟
陕西省半导体行业协会
山东省半导体行业协会
往届风采
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