美光希望未来几年连续在HBM和GDDR类内存上努力，此前已推出业界首款带宽超过1.2 TB/s、引脚速率超过9.2 GB/s、8层垂直堆叠的24GB容量HBM3 Gen2，对应的该当便是路线图上显示的HBM3E。美光该款HBM3E将于2024年初到来，估量会在英伟达面向AI和HPC推出的新一代GPU上首次亮相。美光还在准备12层垂直堆叠的单品36GB HBM3E芯片，将会在2025年推出。
更大变革的将是HBM4，操持在2026年发布，内存堆栈将采取2048位接口，带宽超过1.5 TB/s。美光打算在2026年至2027年之间，推出容量在36GB至48GB、12/16层垂直堆叠的产品。到了2028年还会有HBM4E，频率将进一步提升，容量将增加至48GB到64GB，带宽增加至2 TB/s以上。
下一个GDDR版本，也便是GDDR7将会在2024年末到来，每个数据I/O接口的速率达到了32 Gbps，容量为16Gb至24Gb。估量到2026年末，单个芯片的容量会超过24Gb，速率也会提升至36 Gbps。
美光估量在2025年供应128GB至256GB的MCR DIMM内存模块，数据传输速率为8800 MT/s，然后在2026年或2027年供应容量超过256GB的MCR DIMM内存模块，数据传输速率会攀升至12800 MT/s。同时美光准备推出支持CXL 2.0的内存模块，容量在128GB至256GB，带宽将达到36 GB/s，接下来还有支持CXL 3.x的内存模块，容量超过256GB，带宽超过72 GB/s。
对付低功耗运用，业界将连续利用LPDDR内存。美光速率为8533 MT/s或9600 MT/s的LPDDR5X将连续利用一段韶光，然后从2025年开始供应基于LPDDR设计的LPCAMM2内存，速率为8533 MT/s，容量在16GB至128GB，到了2026年中旬还会有速率为9600 MT/s、容量超过192GB的产品。
